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摘要:
介绍了90年代以来,光学级锗晶体生长方法的新进展.着重介绍了VGF法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置.简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学、电学性能及制造成本.
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文献信息
篇名 光学级锗晶体生长方法新进展
来源期刊 稀有金属 学科 工学
关键词 锗晶体 生长方法 进展
年,卷(期) 1999,(4) 所属期刊栏目 综合评述
研究方向 页码范围 311-315
页数 5页 分类号 TG146
字数 2611字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-7076.1999.04.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 苏小平 15 133 7.0 11.0
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研究主题发展历程
节点文献
锗晶体
生长方法
进展
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属
月刊
0258-7076
11-2111/TF
大16开
北京新街口外大街2号
82-167
1977
chi
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