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摘要:
本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12晶体及Ce、Nd和Eu掺杂Bi4Si3O12晶体.测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发-发射光谱.总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性.
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文献信息
篇名 稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 坩埚下降法 Bi4Si3O12及掺杂Bi4Si3O12晶体 透射光谱 光产额 激发-发射光谱 闪烁晶体
年,卷(期) 1999,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 37-41
页数 5页 分类号 O782.5
字数 2609字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 费一汀 中国科学院上海硅酸盐研究所 5 23 3.0 4.0
2 孙仁英 中国科学院上海硅酸盐研究所 5 30 4.0 5.0
3 范世(马豈) 中国科学院上海硅酸盐研究所 6 27 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
坩埚下降法
Bi4Si3O12及掺杂Bi4Si3O12晶体
透射光谱
光产额
激发-发射光谱
闪烁晶体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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38029
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