Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率的影响

• 作者: 吴文彬 孙学峰 朱长飞 李晓光 范晓娟 赵霞
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 页码范围: 468
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.017

摘要

系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响.Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致.在x≥0.19时,ρab(T)在Tc附近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量增大而增大.ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(Δ/T)+bT+c加以描述.电阻率各向异性ρc/ρab随掺杂浓度增大而增大.