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摘要:
对低能离子注入Vc生产菌的诱变效应进行研究.结果表明,离子注入Vc生产菌能获得较高的突变率和较广的突变谱.比较了H+、N+、Ar+注入Vc生产菌的差异,确定了最佳诱变剂量.由此筛选出4株Vc高产菌,其糖酸克分子转化率达94%.目前已通过工业生产试验,并为企业带来显著的经济效益,同时也为工业微生物的选育提供了一条全新的途径.
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文献信息
篇名 低能离子注入在Vc高产菌株选育中的应用
来源期刊 激光生物学报 学科 物理学
关键词 离子注入 Vc生产菌 突变 选育
年,卷(期) 1999,(3) 所属期刊栏目 诱变育种
研究方向 页码范围 217-220
页数 4页 分类号 O53|Q93
字数 2735字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-7146.1999.03.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 余增亮 中国科学院等离子体物理研究所 179 4127 35.0 57.0
2 许安 中国科学院等离子体物理研究所 8 230 4.0 8.0
3 虞龙 中国科学院等离子体物理研究所 5 400 5.0 5.0
4 王纪 中国科学院等离子体物理研究所 11 781 10.0 11.0
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研究主题发展历程
节点文献
离子注入
Vc生产菌
突变
选育
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
激光生物学报
双月刊
1007-7146
43-1264/Q
16开
长沙市湖南师范大学生命科学学院内
42-194
1992
chi
出版文献量(篇)
2554
总下载数(次)
4
总被引数(次)
16619
论文1v1指导