用离子注入技术制作的砷化镓霍尔传感器

• 作者: 夏先齐 茅保华
• 来源期刊: 计算机测量与控制
• 关键词: 霍尔传感器 砷化镓 离子注入 灵敏度
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 仪器仪表·传感器
• 页码范围: 51-54
• 页数: 4页
• 分类号: TP2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4598.1999.01.018

摘要

针对器件低内阻下的高灵敏度这一器件特性上的难题,在砷化镓霍尔传感器设计中采用非对称十字形结构.在制作上采用全离子注入平面化技术,获得了在800Ω内阻上大于25mV/mA·KG的高灵敏度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏先齐		1	1	1.0	1.0
2	茅保华		1	1	1.0	1.0