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摘要:
利用聚焦的Ar+激光束诱导的方法,实现了对浸入HF∶H2O(1∶20)腐蚀液中的N型单晶Si样品的腐蚀,证明这种湿刻过程是一种由光生电子-空穴对引起的电化学腐蚀,腐蚀坑具有侧壁平滑的高斯状结构.腐蚀特性与入射激光功率以及Si掺杂浓度有关.应用激光诱导无电极电化学腐蚀电路模型对实验结果进行了合理的解释.
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文献信息
篇名 Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究
来源期刊 激光技术 学科 工学
关键词 激光 Si 光化学腐蚀
年,卷(期) 1999,(3) 所属期刊栏目 器件与技术
研究方向 页码范围 190
页数 1页 分类号 TN2
字数 2579字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-3806.1999.03.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭宝增 河北大学电子与信息工程系 61 447 11.0 19.0
2 宋登元 河北大学电子与信息工程系 14 194 6.0 13.0
3 李宝通 河北大学电子与信息工程系 1 17 1.0 1.0
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节点文献
激光
Si
光化学腐蚀
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
激光技术
双月刊
1001-3806
51-1125/TN
大16开
四川省成都市238信箱
62-74
1971
chi
出版文献量(篇)
4090
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10
总被引数(次)
25972
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