用于氦原子泵浦的1080nm半导体激光器

• 作者: 张道银 曹宏斌 毛庆丰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 InGaAs/GaAs 应变量子阱结构 特性
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 390-392
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.06.006

摘要

InGaAs/GaAs应变量子结构半导体激光器有其特有的波长输出范围,介绍了1080 nm InGaAs/GaAs应变量子阱激光器的结构、典型的特性参数及其用途.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛庆丰		2	3	1.0	1.0
2	曹宏斌		1	3	1.0	1.0
3	张道银		1	3	1.0	1.0