用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术

• 作者: 肖(龙天) 茅盘松 袁瞡
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 低温硅片直接键合 氧等离子体激活
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.05.006

摘要

针对在MEMS加工中所要求的低温键合,提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术.研究了低温SDB的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的SDB提高近10倍的结论.最后详细探讨了其键合机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茅盘松	东南大学微电子中心	5	45	4.0	5.0
2	肖(龙天)	东南大学微电子中心	1	16	1.0	1.0
3	袁瞡	东南大学微电子中心	1	16	1.0	1.0