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摘要:
基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线,定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程.首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致,初步确定了键合过程中界面发生的微观反应机理.
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文献信息
篇名 硅片直接键合的微观动力学研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 硅片直接键合 动力学模型 微观反应机理
年,卷(期) 1999,(6) 所属期刊栏目 器件研究与制造
研究方向 页码范围 33-35
页数 3页 分类号 TN305
字数 2106字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.06.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈星弼 电子科技大学微电子所 31 254 8.0 15.0
2 何进 电子科技大学微电子所 13 107 5.0 10.0
3 王新 电子科技大学微电子所 9 55 4.0 7.0
传播情况
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1999(0)
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研究主题发展历程
节点文献
硅片直接键合
动力学模型
微观反应机理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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