NiAl晶体中点缺陷的模拟

• 作者: 刘震云 林栋梁 黄伯云
• 来源期刊: 上海交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: NiAl 点缺陷 嵌入原子法 计算机模拟
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: TG111.2|O771|TP391.75
• 字数: 2841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-2467.1999.02.007

摘要

利用嵌入原子法(EAM)势函数,通过分子静态弛豫方法对NiAl合金中各种点缺陷的形成能进行了模拟计算.结果表明,从点缺陷的形成能来看,在NiAl晶格中很难形成Ni反位置缺陷,而Al原子亚点阵位置总是被占据.当合金富Ni时,Ni占据Al位置形成Al的反位置缺陷;当合金富Al时,形成Ni空位.点缺陷周围原子的位移情况及双空位形成能与空位之间间距的关系的研究表明,随着两个空位之间距离的增大,其交互作用逐渐减小并有互不影响的趋势.点缺陷和晶界的交互作用表明,NiAl晶界有吸收点缺陷以减低其晶界能,保持其晶界化学计量比结构的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄伯云	中南工业大学粉末冶金研究所	36	657	17.0	25.0
2	林栋梁	上海交通大学材料科学与工程学院	16	91	6.0	9.0
3	刘震云	中南工业大学粉末冶金研究所	5	84	3.0	5.0