高气压屏栅电离室的调试和58Ni(n,p)反应双微分截面的试测

• 作者: Gledenov Yd Khuukhenkhuu G Sedysheva M V 唐国有 张国辉 张雪梅 梁伟 陈泽民
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 高气压屏栅电离室 (n,p)反应
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 页码范围: 11-16
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.1999.01.003

摘要

介绍了高气压屏栅电离室的结构和调试,并对58Ni(n,p)试测结果进行了分析,结果证明此电离室和测量方法对(n,p)反应的测量是适用的.目前正用此电离室进行测量(n,p)反应截面的实验.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐国有	北京大学重离子研究所	17	128	5.0	11.0
2	张国辉	北京大学重离子研究所	20	87	5.0	8.0
3	张雪梅		10	11	2.0	3.0
4	陈泽民		9	54	4.0	7.0
5	梁伟		14	294	8.0	14.0