0.9μm CMOS ASIC的Top-Down设计

• 作者: 居水荣 袁敏民
• 来源期刊: 半导体技术
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 简讯
• 页码范围: 54
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.01.017

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	居水荣		2	0	0.0	0.0
2	袁敏民		1	0	0.0	0.0