硅片化学腐蚀及其在电力半导体器件中的应用

• 作者: 谢书银
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 化学腐蚀/电力半导体器件
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 48-50
• 页数: 3页
• 分类号: TM5
• 字数: 2694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.1999.03.017

摘要

按照电化学原理分析硅片化学腐蚀过程,阐述了择优与非择优腐蚀的机理,研究了一套硅片化腐新工艺.这些工艺在电力半导体器件生产中得到了成功的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢书银		2	21	2.0	2.0