GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析

• 作者: 朱长纯 赵银女 闫金良
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 成像器件 GaAs/GaAlAs光电阴极 分辨力 量子效率 第3代像增强器
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 252-254
• 页数: 3页
• 分类号: O723|TN383.4
• 字数: 1831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.04.010

摘要

GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力是第3代微光像增强器的重要参数之一.从简化的二维扩散方程推导了GaAs/GaAlAs透射式阴极的调制传递函数(Fm,t),计算了2 μm厚GaAs阴极层的GaAs/GaAlAs透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论了它与若干参数的关系.据此得出在设计GaAs/GaAlAs透射式光电阴极时应主要考虑最大量子效率,分辨力的损失并不限制系统的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电信学院	215	2372	22.0	41.0
2	闫金良	西安交通大学电信学院	8	41	3.0	6.0
3	赵银女	西安交通大学电信学院	3	7	2.0	2.0