半导体中子嬗变掺杂中的诱生缺陷

• 作者: 文湘鄂 李世清 马莉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 中子嬗变掺杂 诱生缺陷 退火
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 182-184
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 3070字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.03.010

摘要

讨论了半导体材料中子嬗变掺杂(NTD)诱生缺陷的三种原因,即快中子辐射损伤、原子蜕变β辐射及γ辐射反冲造成的位移损伤.简述了由它们引起的缺陷的特性、常用的鉴别手段及相应的退火方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马莉	武汉大学物理系	20	27	3.0	3.0
2	文湘鄂	武汉大学物理系	1	0	0.0	0.0
3	李世清	武汉大学物理系	1	0	0.0	0.0