用聚乙烯薄膜测中子绝对注量率

• 作者: G.Khuukhenkhuu M.V.Sedysheva Yd Gledenov 唐国有 张国辉 张雪梅 陈泽民
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 屏栅电离室快中子(n p)反应中子绝对注量率
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 页码范围: 248-251
• 分类号: TL8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.1999.04.002

摘要

在测量快中子(n,p)反应的实验中,同样利用屏栅电离室测得聚乙烯薄膜反冲质子的能谱,并利用蒙特-卡罗方法对其进行校正,从而得到中子的绝对注量率.将其结果与238U测得的结果进行比较,二者在误差范围内相同,说明用此方法测量中子绝对注量率是可行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐国有	北京大学重离子研究所	17	128	5.0	11.0
2	张国辉	北京大学重离子研究所	20	87	5.0	8.0
3	张雪梅	清华大学物理系	10	11	2.0	3.0
4	陈泽民	清华大学物理系	9	54	4.0	7.0