碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料的研究

• 作者: 戴永耀 杨雪 赵广文 金东明
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 碳纤维 增强 陶瓷基 复合材料
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.1999.02.006

摘要

使用CVD技术提高纤维增强陶瓷基复合材料的密度是很困难的,因为它很难使反应气体完全渗入到基体里面.这是由于"瓶颈"效应所致,即CVD过程阻塞了基体表面的小气孔,进而封闭了通向大气孔的入口.为此,提出一种新的方法位控CVD(PCCVD),来克服上述困难.通过控制反应气体通道位置和试样的加热位置,从而达到控制沉积位置,使沉积界面始终处于开孔状态.使用PCCVD技术制造的C/SiC复合材料,实际密度可达其理论密度的96%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨雪		11	70	5.0	8.0
2	戴永耀		1	5	1.0	1.0
3	赵广文		1	5	1.0	1.0
4	金东明		1	5	1.0	1.0