PLZT陶瓷的晶界现象

• 作者: 姚尧 敖海宽 殷之文 祝炳和 赵梅瑜 郑鑫森
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 功能陶瓷 晶界 电畴 PLZT
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 13-16
• 分类号: TM28|TM22
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.1999.05.006

摘要

利用显微技术,研究了PLZT陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为.制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片,利用十字形电极,观察在电场作用下,电畴运动的动态过程.讨论所观察到的一些晶界有关现象,如:晶界平滑区,晶界区的电光性,"壳-芯"结构,析出物在晶界区的沉积,电畴在该区的成核和生长,空间电荷在该区的积累等等.认为存在高应变能的晶界区,对上述现象起重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷之文	中国科学院上海硅酸盐研究所	69	1195	20.0	33.0
2	祝炳和	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	69	4.0	7.0
3	郑鑫森	中国科学院上海硅酸盐研究所	5	22	3.0	4.0
4	姚尧	中国科学院上海硅酸盐研究所	12	230	5.0	12.0
5	赵梅瑜	中国科学院上海硅酸盐研究所	18	300	9.0	17.0
6	敖海宽	中国科学院上海硅酸盐研究所	2	4	1.0	2.0