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摘要:
论述半导体陶瓷电容器的一般工艺、瓷体结构、介电特性及其与一般BaTiO3型陶瓷电容器之差异.着重叙述其与低压直流老化相关的各种敏感问题、其产生原因及其与工艺因素的相互关系.
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文献信息
篇名 半导体陶瓷电容器
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 半导体陶瓷电容器 制造工艺 瓷体结构 介电特性
年,卷(期) 1999,(6) 所属期刊栏目 科技动态
研究方向 页码范围 31-33
页数 3页 分类号 TM534+.1
字数 3598字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.1999.06.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 章士瀛 10 74 3.0 8.0
2 李标荣 4 27 2.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
半导体陶瓷电容器
制造工艺
瓷体结构
介电特性
研究起点
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期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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