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红外器件用InSb体单晶
红外器件用InSb体单晶
作者:
毕叔和
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Ⅲ-Ⅴ族
红外器件
锑化铟
单晶
化合物半导体
摘要:
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篇名
红外器件用InSb体单晶
来源期刊
电子材料快报
学科
工学
关键词
Ⅲ-Ⅴ族
红外器件
锑化铟
单晶
化合物半导体
年,卷(期)
1999,(8)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
14-15
页数
2页
分类号
TN304.23
字数
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Ⅲ-Ⅴ族
红外器件
锑化铟
单晶
化合物半导体
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引文网络交叉学科
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电子材料快报
主办单位:
天津电子材料研究所
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月刊
ISSN:
CN:
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出版地:
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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