间接耦合光探测器再分析

• 作者: 尹长松
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 间接耦合光探测器 MOS场效应结构 电荷耦合器件
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 学术园地
• 页码范围: 439-440,445
• 页数: 3页
• 分类号: TN36
• 字数: 2024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.06.019

摘要

再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹长松	武汉大学物理系	6	3	1.0	1.0