离子束刻蚀

• 作者: 周名辉 王书明 赵丽华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束 刻蚀 速率
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 3303字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.01.010

摘要

介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理,重点介绍了离子束刻蚀的基本原理,给出了55种不同材料在500eV能量1mA/cm2束流密度条件下的刻蚀速率,并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的扫描电镜分析结果,对有关问题进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵丽华		1	0	0.0	0.0
2	周名辉		1	0	0.0	0.0
3	王书明		1	0	0.0	0.0