射频辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响

• 作者: 乔学亮 吴一平 程宇航 许德胜 谢长生 陈建国
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频辉光放电 极板自负偏压 工艺参数
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: TM93
• 字数: 2104字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-6753.1999.05.015

摘要

系统研究了射频等离子辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响,结果表明射频辉光放电过程中下极板上产生的自直流负偏压V与电源功率W和工作压强P的关系为V=k.极板负偏压随极板间距的增加而增大.不同放电气体对极板自负偏压产生不同的影响,这与各种气体本身的放电特性有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许德胜	华中理工大学材料学院	3	45	2.0	3.0
2	吴一平	华中理工大学材料学院	6	29	2.0	5.0
3	谢长生	华中理工大学材料学院	16	328	7.0	16.0
4	程宇航	华中理工大学材料学院	7	30	2.0	5.0
5	陈建国	华中理工大学材料学院	5	24	2.0	4.0
6	乔学亮	华中理工大学材料学院	5	24	2.0	4.0