GaInAs/AlInAs量子阱激光器特性--价带间光吸收对微分量子效率和特征温度的影响

• 作者: 朴海镇 郭长志 陈辰嘉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 微分量子效率 价带间光吸收 特征温度
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 22-27
• 分类号: TN365
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.01.006

摘要

计算和分析了晶格匹配GaInAs/AlInAs半导体量子阱激光器(QWL)中的价带间光吸收系数及其对微分量子效率(η0)和特征温度(T0)的影响.结果表明,价带间光吸收系数随带隙增加而减小,随温度和载流子浓度增加而增加,其所引起的阈值和出光微分量子效率的变化趋势虽然与实验观察到的相类似,但数值上却不起明显的作用.因此,价带间光吸收这种温敏光子损耗机制对长波长半导体激光器的温度效应不可能起主要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朴海镇		1	3	1.0	1.0
2	陈辰嘉		11	11	2.0	2.0
3	郭长志		3	3	1.0	1.0