激光增进的半导体异质结外延生长

• 作者: 余金中 李代宗 王启明
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体薄膜 化学汽相淀积 脉冲激光淀积 光催化 光分解
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN215|TN386
• 字数: 3507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.01.001

摘要

文章阐述了光辅助外延生长的基本原理,光辐射增强生长速率主要有:光分解、光催化和光的热分解三种机制;介绍其在半导体材料外延生长中的具体应用,包括降低温度、掺杂控制、原子层外延和选择性外延;分析了实验中光的作用以及对材料晶体质量和光电特性的影响,为生长高质量材料提供实验基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所	118	735	14.0	20.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所	110	703	13.0	21.0
3	李代宗	中国科学院半导体研究所	4	2	1.0	1.0