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高质量GaN外延薄膜的生长
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摘要：
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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
GaN薄膜
MOCVD
同质外延
国产SiC衬底上利用AIN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜
GaN
AlN
SiC衬底
MOCVD
X射线衍射
基于RHEED图像外延GaN基薄膜表面晶格演变分析
高能电子衍射仪
氮化镓
薄膜
晶格
MOCVD法侧向外延生长高质量GaN
GaN
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期刊影响力
物理
主办单位：
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
0379-4148
CN：
11-1957/O4
开本：
大16开
出版地：
北京603信箱
邮发代号：
2-805
创刊时间：
1951
语种：
chi
出版文献量（篇）
4702
总下载数（次）
20
总被引数（次）
40280
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