ZnO压敏陶瓷的晶粒生长和电学性能

• 作者: 周东祥 章天金 龚树萍
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 晶粒生长 电性能 价态
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 921-926
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.014

摘要

研究了不同价态Co、Mn添加物对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长和电学性能的影响, 分析了由于不同价态Mn和Co掺杂所产生的缺陷类型, 应用晶粒生长的动力学方程: Gn=Dtexp(-()/RT)确定了晶粒生长的动力学指数和激活能. 实验结果表明: 对于低压ZnO压敏陶瓷, 其晶粒生长的动力学指数n=6, 激活能E=224±17kJ/mol, 随着Mn、Co价态的增加, ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小增加, 提高烧结温度, ZnO压敏陶瓷的压敏场强E 1mA降低, 漏电流I L增加, 非线性系数α降低. 在低压ZnO压敏陶瓷的制备过程中, 烧结温度以不超过1250℃为宜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚树萍	华中理工大学电子科学与技术系	23	390	11.0	19.0
2	周东祥	华中理工大学电子科学与技术系	33	486	13.0	21.0
3	章天金	华中理工大学电子科学与技术系	4	76	4.0	4.0