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摘要:
介绍了以磁阻效应为工作原理的Insb磁敏电位器的设计和制作.这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长.性能测试结果表明:输出电压为3.5 V/10°.
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文献信息
篇名 Insb磁敏电位器的研究
来源期刊 测控技术 学科 工学
关键词 半导体磁阻效应 Insb磁敏电位器 非接触磁敏电位器
年,卷(期) 1999,(3) 所属期刊栏目 专题报告--传感器技术及应用
研究方向 页码范围 15-16
页数 2页 分类号 TH7
字数 626字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-8829.1999.03.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 方培生 10 58 4.0 7.0
传播情况
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二级参考文献  (0)
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1980(1)
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1999(0)
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2004(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
半导体磁阻效应
Insb磁敏电位器
非接触磁敏电位器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
测控技术
月刊
1000-8829
11-1764/TB
大16开
北京2351信箱《测控技术》杂志社
82-533
1980
chi
出版文献量(篇)
8430
总下载数(次)
24
总被引数(次)
55628
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