皮层SI区伤害感受神经元对电刺激腹后外侧核的反应

• 来源期刊: 中国医科大学学报
• 学科: 医学
• 关键词: 伤害感受神经元 腹后外侧核 细胞内记录
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 页码范围: 247-249
• 页数: 3页
• 分类号: R338
• 语种: 中文

摘要

目的;探讨SI区伤害感受神经元及VPL核在痛觉调制中的作用.方法:用细胞内记录技术,观察SI区伤害感受神经元细胞内电位及对刺激VPL的反应.结果:90.36％的SI区伤害感受神经元对刺激VPL产生反应.电刺激隐神经和刺激VPL在SI区伤害感受神经元的诱发反应有相似与不同两种形式.结论:躯体伤害信息到SI区伤害感受神经元可能有中间神经元参与,在VPL与SI区伤害感受神经元间或SI区内神经元间形成环路