磁控溅射ITO透明导电薄膜的研究

• 作者: 陈跃
• 来源期刊: 福州大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 ITO 导电薄膜
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2243.1999.04.005

摘要

采用直流磁控反应溅射法制备锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,研究了不同的基片温度、氧分压等工艺参数对ITO薄膜电学、光学性能的影响,制备出方块电阻为20-50Ω、可见光透射率高于86%的ITO薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈跃	福州大学电子科学与应用物理系	6	65	3.0	6.0