PMOS剂量计的剂量率效应

• 作者: 严荣良 任迪远 张国强 范隆 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: PMOS 阈值响应 60Coγ辐照 剂量率
• 年，卷（期）: 1999,（8）
• 页码范围: 508
• 页数: 1页
• 分类号: TL818
• 字数: 3264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.1999.08.012

摘要

在不同剂量率的60Co γ辐照下,研究了PMOS剂量计阈值电压的响应关系.借助快速I-V亚阈分析技术,获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献.结果表明,辐照响应有较明显的剂量率效应,主要表现为响应的拟合关系式ΔVT=KDn中幂n的变化,在低剂量率区间内,n值较大,对应于辐射响应高灵敏度范围;当剂量率增大时,n值减小,响应灵敏度下降.讨论了克服剂量率效应影响其应用的办法.