CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应

• 作者: 严荣良 任迪远 余学锋 张国强 范隆 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS运算放大器 电离辐射 辐射损伤
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: TN7
• 字数: 4600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.1999.01.009

摘要

介绍了LF7650 CMOS运算放大器在60Co γ射线、1MeV电子和4、7、30MeV不同能量质子辐照环境中的响应规律及60Co γ射线和1MeV电子辐照损伤在室温和100℃高温条件下的退火特性,探讨了引起CMOS运放在不同辐射环境中辐照响应出现差异的损伤机理,并对CMOS运放电路在不同辐射环境中表现出的与CMOS数字电路不同的响应特征给予了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范隆	中国科学院新疆物理研究所	13	69	5.0	8.0
2	严荣良	中国科学院新疆物理研究所	22	83	5.0	8.0
3	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
4	余学锋	中国科学院新疆物理研究所	22	152	6.0	12.0
5	陆妩	中国科学院新疆物理研究所	42	320	11.0	16.0
6	郭旗	中国科学院新疆物理研究所	50	338	10.0	16.0
7	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0