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摘要:
针对低阈值半导体量子结构激光器(简称量子结构激光器),包括量子阱、量子线和量子点结构,给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构.以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系,并且以InGaAs(P)/InP量子阱激光器和InAs/GaAs自组装量子点结构激光器为例,分别计算了为得到最低阈值电流所需要的量子阱阱数和自组装量子点的面密度以及激光器的腔长.
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文献信息
篇名 低阈值量子结构激光器的优化结构设计
来源期刊 中国激光 学科 工学
关键词 量子结构激光器 自组装量子点 优化结构设计
年,卷(期) 1999,(6) 所属期刊栏目 激光器件
研究方向 页码范围 485-488
页数 分类号 TN3
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0258-7025.1999.06.002
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研究主题发展历程
节点文献
量子结构激光器
自组装量子点
优化结构设计
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国激光
月刊
0258-7025
31-1339/TN
大16开
上海市嘉定区清河路390号 上海800-211邮政信箱
4-201
1974
chi
出版文献量(篇)
9993
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26
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105193
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