极性晶体的生长习性

• 作者: 施尔畏 李汶军 殷之文
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO晶体 ZnS晶体 SiO2晶体 生长习性
• 年，卷（期）: 1999,（22）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 2388-2392
• 页数: 5页
• 分类号: O7
• 字数: 2924字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.1999.22.006

摘要

采用配位多面体生长习性法则研究了极性晶体ZnO, ZnS和SiO2的理论生长习性. 发现其正负极轴方向的生长速度不同. ZnO晶体的理论习性为六方柱状,各晶面的生长速度为:V〈0001〉>V〈01īī〉>V〈01ī0〉>V〈01ī1〉>V〈000ī〉;ZnS晶体的理论习性为四面体,各晶面的生长速度为:V〈111〉>V〈001〉=V〈100〉=V〈010〉＞V〈īīī〉;SiO2晶体的正负极轴方向的生长速度为V〈ī20〉>V〈11(2)0〉. 此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好. 而PBC理论不能解释正负极轴方向生长速度的差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷之文	中国科学院上海硅酸盐研究所	69	1195	20.0	33.0
2	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
3	李汶军	中国科学院上海硅酸盐研究所	24	1290	19.0	24.0