ZnS对HgCdTe器件的表面覆盖及其输运特性的影响

• 作者: 周咏东 方家熊 汤定元
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZnS Ar+束溅射沉积 迁移率谱 HgCdTe 红外探测器
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 31-34,38
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 3423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2000.03.009

摘要

利用成熟的HgCdTe器件生产工艺制备了HgCdTe Hall器件,利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe Hall器件表面实现了ZnS介质薄膜的低温生长;用低温变磁场Hall测量技术对ZnS薄膜覆盖前后的Hall器件输运特性进行了研究,分析了ZnS薄膜的沉积生长对器件中HgCdTe晶体表面、体内载流子的分布、迁移率的影响.实验证明,利用文中的Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe器件表面进行ZnS介质膜生长不会引起器件HgCdTe晶格的损伤,且ZnS与器件界面的固定电荷呈正电荷,不会降低n-HgCdTe光导型虹外探测器器件的最终性能指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤定元	中国科学院上海技术物理研究所	16	70	4.0	7.0
2	方家熊	中国科学院上海技术物理研究所	39	184	7.0	11.0
3	周咏东	苏州大学物理科学与技术学院	8	40	3.0	6.0