SiO2对SnO2·CoO·Nb2O5压敏电阻非线性电学性质的影响

• 作者: 张沛霖 李长鹏 王勇军 王矜奉 钟维烈 陈洪存
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏电阻 非线性系数 击穿电场强度 势垒
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 压电及其他功能器件
• 页码范围: 379-381
• 页数: 3页
• 分类号: TM283
• 字数: 1323字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2000.06.009

摘要

对SiO2掺杂的SnO2·CoO·Nb2O5压敏电阻非线性电学性质进行了研究,并对其微观结构进行了电镜扫描,且对其晶界势垒高度进行了测量.实验表明x(SiO2)＝0.3%掺杂的SnO2·CoO·Nb2O5压敏电阻的非线性系数α高达30,并且具有最高的击穿电场(375 V/mm).采用Gupta-Carlson缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随SiO2的添加而变大的现象进行了理论解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟维烈	山东大学物理系	44	381	12.0	18.0
2	王勇军	山东大学物理系	11	54	4.0	7.0
3	王矜奉	山东大学物理系	64	562	13.0	20.0
4	陈洪存	山东大学物理系	40	335	12.0	15.0
5	张沛霖	山东大学物理系	32	226	8.0	14.0
6	李长鹏	山东大学物理系	11	85	6.0	9.0