一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管

• 作者: 周雪梅 张少强 徐重阳 王长安 赵伯芳
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅薄膜 薄膜晶体管 背光照射 关态电流
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 100-103
• 页数: 4页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 3468字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.02.007

摘要

提出一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)结构.详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性.论述了在背光照射下,这种结构的TFT能有效抑制关态电流(Ioff)上升的机理.研究了有源层a-Si:H膜层厚度对TFT关态电流和开态电流的影响.检测了这种结构TFT在暗态和背光照射下的静态特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐重阳	华中理工大学电子科学与技术系	33	239	9.0	14.0
2	王长安	华中理工大学电子科学与技术系	7	32	3.0	5.0
3	周雪梅	华中理工大学电子科学与技术系	6	32	3.0	5.0
4	赵伯芳	华中理工大学电子科学与技术系	7	39	4.0	6.0
5	张少强	华中理工大学电子科学与技术系	3	6	1.0	2.0