神经MOS晶体管

• 作者: 汤玉生 管慧
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 神经MOS晶体管 浮栅器件
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 2-7
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 6348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.01.002

摘要

神经MOS晶体管是1991年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅MOS器件.本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新器件及其电路的国外研究现状、研究趋势以及笔者所完成的研究工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤玉生	上海交通大学微电子技术研究所	10	76	6.0	8.0
2	管慧	上海交通大学微电子技术研究所	5	43	4.0	5.0