SIMOX薄膜材料的电学性能

• 作者: Hem.,PLF 卢殿通
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 SIMOX 薄膜材料 电学性能
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055

摘要

本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和退火条件对表面Si单晶层的载流子度和迁移率的影响。