真空中冲击电压下硅半导体的泄漏电流及沿面闪络特性

• 作者: 严璋 刘源兴 安冈康一 张冠军 石井彰三
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅半导体 泄漏电流 沿面闪络 电流细丝 表面态
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 分类号: TM2
• 字数: 2701字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-6753.2000.05.012

摘要

在冲击电压下,通过在真空中对采用和未采用化学腐蚀表面处理的硅半导体的实验表明,试品的表面状况对其泄漏电流和沿面闪络特性有着很大的影响,在沿面闪络之前,未经处理试品的泄漏电流表现为欧姆性电流,而表面处理过的试品表现为空间电荷限制电流特性;同时两类试品表面的放电通道也表现出不同的特征.提出了一个新的模型来描述半导体材料沿面闪络的发展过程,即由焦耳热效应诱导的电流细丝现象而发展成最终的闪络,并认为这是一个发生在半导体表层内的过程,在靠近真空的侧面这一表层厚度约为2μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张冠军	西安交通大学电气工程学院	229	2423	27.0	41.0
2	严璋	西安交通大学电气工程学院	104	3624	33.0	57.0