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摘要:
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离子注入型与金硅面垒型半导体探测器温度特性比较
半导体探测器
温度特性
离子注入型
金硅面垒型
离子注入硅快速退火合成Y硅化物的特性
Y注入硅
掠角沟道分析
MEVVA离子注入
熔盐法合成钇铝石榴石粉体的研究
钇铝石榴石
熔盐
粉体
形成机理
混合溶剂凝胶燃烧法合成钇铝石榴石粉体
混合溶剂
凝胶燃烧法
煅烧温度
钇铝石榴石粉体
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 钇离子注入硅薄层硅化钇-的合成-的研究
来源期刊 功能材料 学科
关键词
年,卷(期) 2000,(Z1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 62
页数 3页 分类号
字数 2682字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.Z1.024
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
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