微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程

• 作者: 余晋岳 俞爱斌 周狄 朱军 禹金强 蔡炳初 魏福林
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁性薄膜元件 反磁化 磁畴 Neel畴壁
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 359-363
• 页数: 5页
• 分类号: O482.51|TM276
• 字数: 3551字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2000.04.006

摘要

观察和分析了300 μm×40 μm×40 nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Nct)的N+→Nct→N-间接转变)进行了分析讨论.N-往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展.N+→Nct的转变是通过N+壁的数次分裂来实现的.