晶界杂质和缺陷行为与BaTiO3 基陶瓷的PTCR效应

• 作者: 李龙土 桂治轮 陈万平 齐建全
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 晶界 杂质 缺陷 钛酸钡 PTCR
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 114-117
• 页数: 4页
• 分类号: TN373
• 字数: 2924字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2000.02.016

摘要

钛酸钡陶瓷中,高温下晶格失氧使晶粒内部氧匮乏.在氧化气氛中烧成,晶界则是富氧环境.缺陷或杂质在晶界上进一步氧化,产生晶粒中并不存在的缺陷种类.杂质和缺陷在晶界上与晶粒内部有不同的行为 .某些在晶界上被氧化成高价态的缺陷和杂质,在晶粒中不能存在,而在晶界上以亚稳态形式存在.它们在铁电相变点跃迁回低价稳态,产生电子陷阱,使材料电阻率迅速增大,形成 PTCR效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李龙土	清华大学材料科学与工程系	122	1435	22.0	31.0
2	桂治轮	清华大学材料科学与工程系	71	920	17.0	27.0
3	齐建全	清华大学材料科学与工程系	17	135	7.0	10.0
4	陈万平	清华大学材料科学与工程系	3	17	1.0	3.0