Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析

• 作者: 余明斌 王建农 胡宝宏 陈治明 雷天民 马剑平
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: XPS 3C-SiC 外延
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 303-307
• 页数: 5页
• 字数: 2516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.03.018

摘要

采用HFCVD技术，通过两步CVD生长法，以较低生长温度，在Si(111)和Si(100)衬底上同时外延生长3C-SiC获得成功.生长源气为CH4+SiH4+H2混合气体，热丝温度约为2000℃，碳化和生长时基座温度分别为950℃和920℃，用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化.XRD结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征，XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为Si和C，且Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比，其三维能谱曲线进一步证明了外延层中Si2p和与Cls成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明		83	498	11.0	18.0
2	余明斌		8	79	5.0	8.0
3	王建农		13	55	4.0	7.0
4	马剑平		19	114	7.0	10.0
5	雷天民		17	78	5.0	8.0
6	胡宝宏		4	31	2.0	4.0