SiO2掺杂SnO2-ZnO-Nb2O5压敏陶瓷的电学特性

• 作者: 王勇军 田青 董火民
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏电阻 势垒电压 非线性系数
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 9-10
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 2379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2000.05.005

摘要

研究了SiO2掺杂对SnO2-ZnO-Nb2O5压敏陶瓷的影响.实验结果表明,SiO2可以十分显著地影响SnO2-ZnO-Nb2O5压敏陶瓷的物理和电子性质.掺杂范围为0.05%～0.40 % (摩尔分数)时,材料密度在6.21～6.56 g/cm3之间变动,非线性系数在7.42～12.80之间.烧失率、势垒电压和非线性系数的测量均表明:掺有x(SiO2)=0.2%的SnO2-ZnO-Nb2O5压敏陶瓷的非线性最好,其势垒电压为0.67 eV,非线性系数达12.80.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇军	山东大学物理系	11	54	4.0	7.0
2	董火民	山东大学物理系	10	46	4.0	6.0
3	田青	山东省科学院能源研究所	5	74	3.0	5.0