不同尺寸分布的自组织In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点的静压光谱

• 作者: 周伟 张旺 李国华 汪兆平 王占国 陈晔 韩和相
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As 量子点 光致发光 静压
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1092-1098
• 页数: 7页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 4671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.11.010

摘要

在15K测量了不同尺寸分布的In0.55A10.45As/Al0.5Ga05As量子点的静压光致发光,静压范围为0-1.3GPa.常压下观察到三个发光峰,分别来源于不同尺寸的量子点(横向直径分别为26、52和62am)的发光.它们的压力系数分别为82、94和98meV/Gpa,都小于In0.55Al0.45As体材料带边的压力系数,特别是尺寸为26nm的小量子点比In0.55Al0.45As体材料带边小17%,并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小.理论计算表明有效质量的增大和Γ-X混合是量子点压力系数变小的主要原因,并得到横向直径为26和52nm的小量子点的Γ-X混合势为15和10meV.根据实验还确定In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点系统X能带具有Ⅱ类结构,并且估算出价带不连续量为0.15±0.02.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周伟	中国科学院半导体研究所材料科学实验室	88	475	12.0	18.0
2	李国华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	25	99	5.0	9.0
3	韩和相	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	8	9	2.0	3.0
4	陈晔	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	15	42	4.0	5.0
5	张旺	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	8	71	3.0	8.0
6	汪兆平	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	3	4	1.0	2.0
7	王占国		2	10	1.0	2.0