半导体锗中60°棱位错的电子结构

• 作者: 刘贵立 张国英
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 位错 电子结构 锗 半导体材料
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1

摘要

本文依据位错的弹性理论建立半导体锗中６０°棱位错模型，用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法计算包含与不包含位错时原子团平均态密度、位错芯及其近邻原子的局域态密度、轨道电子数及原子价，得出了锗中６０°棱位错附近的局域电子结构，并讨论了其对锗光学和电学性质的影响。