GAT双极晶体管的高频高压兼容特性

• 作者: 吴丽清 庄宝煌 朱梓忠 李开航 黄美纯
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高频高压特性 GAT 模型
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 388-393
• 页数: 6页
• 分类号: TN323.2
• 字数: 3196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.014

摘要

建立了GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型，定量研究了GAT的栅屏蔽效应和GAT的基区穿通电压VPI并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果.该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄宝煌	厦门大学物理学系	8	13	2.0	3.0
2	黄美纯	厦门大学物理学系	35	129	7.0	8.0
3	朱梓忠	厦门大学物理学系	50	186	7.0	10.0
4	李开航	厦门大学物理学系	31	74	5.0	6.0
5	吴丽清	厦门大学物理学系	4	5	2.0	2.0