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超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值
超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值
作者:
毛立平
翁寿松
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
超突变结
变容二极管
杂质浓度分布
n值
摘要:
讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施.
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文献信息
篇名
超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
超突变结
变容二极管
杂质浓度分布
n值
年,卷(期)
2000,(1)
所属期刊栏目
器件研究与制造
研究方向
页码范围
31-32,38
页数
3页
分类号
TN312+.1
字数
1220字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353X.2000.01.010
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作者信息
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姓名
单位
发文数
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1
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17
19
3.0
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毛立平
1
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变容二极管
杂质浓度分布
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研究起点
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研究去脉
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期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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