利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度

• 作者: 卫建林 毛凌锋 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 隧穿 金属氧化物半导体结构 干涉
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 999-1004
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3262字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.10.011

摘要

给出了一种利用FN振荡电流的极值测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之间的关系.这种方法的最大优点是精确和简便，并可方便地应用于任意形状的势垒和势阱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛凌锋	北京大学微电子所	16	38	4.0	4.0
2	谭长华	北京大学微电子所	48	99	5.0	7.0
3	许铭真	北京大学微电子所	52	102	5.0	7.0
4	卫建林	北京大学微电子所	7	19	3.0	4.0